От издательства:
В книге изложены физические принципы работы и функциональные возможности полупроводниковых диодов с барьером Шоттки, диодов с гомо- и гетеро-переходами, диодов Ганна, биполярных, полевых и аналоговых транзисторов, МДП-структур, приборов с вольт-амперной характеристикой S-типа.
Для студентов радиофизических и физических специальностей ВУЗов, занимающихся вопросами твердотельной электроники. Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам, занимающимся разработкой твердотельных приборов и интегральных схем.

В третьем томе приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов (смесительных, детекторных, параметрических, переключательных, ограничительных, умножительных, настроечных и генераторных) и полупроводниковых оптоэлектронных приборов. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей. Представлен перечень полупроводниковых диодов, вошедших в 1-3тт. издания. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Описаны принцип работы и конструкция отечественных серийно выпускаемых силовых полупроводниковых приборов и охладителей к ним. Приведены параметры и характеристики приборов и охладителей, методы расчета рабочих и аварийных режимов в зависимости от условий применения, рекомендации по групповому применению. Первое издание вышло в 1975 г. Для инженерно-технических работников, занятых применением полупроводниковых приборов в различных областях техники.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров и система обозначений отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов. 

В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей. Представлен перечень полупроводниковых диодов, вошедших в 1—3 тт. издания.

Во втором томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов — стабилитронов, ограничителей напряжения, импульсных диодов, высокочастотных диодов, варикапов, туннельных и обращенных диодов. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей. Представлен перечень полупроводниковых диодов, вошедших в 1—3 тт. издания. 

В настоящее время очень хорошо прослеживается динамика развития ведущих производителей электронных полупроводниковых приборов США, Японии и Западной Европы. Совсем недавно достаточно громко заявила о себе Южная Корея, в основном благодаря научно-техническому прогрессу фирмы SAMSUNG. В связи с тем, что в странах бывшего СССР появилось огромное количество разнообразной электронной аппаратуры зарубежного производства, возникла необходимость в создании подобного справочника, охватывающего почти всю гамму зарубежных полупроводниковых приборов.

В доступной и увлекательной форме рассмотрены классификация электронных приборов, их история и эволюция, место электронных вакуумных ламп среди других приборов, их роль в развитии цивилизации, попытки гибридизации вакуумных и полупроводниковых либо вакуумных и газоразрядных приборов.

В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".

Изложены физические основы электроники, приведены конструкции и характеристики полупроводниковых приборов, рассмотрены преобразователи электрической энергии, используемые в устройствах электроснабжения и электроподвижного состава железнодорожного транспорта. Описаны принципы построения узлов импульсной и цифровой техники на основе дискретных полупроводниковых компонентов и интегральных микросхем. Отражены электромагнитные процессы в цепях полупроводниковых преобразователей при выпрямлении, инвертировании и импульсном прерывании тока. Даны основы проектирования тяговых полупроводниковых преобразователей, рассмотрены причины и последствия аварийных процессов при их эксплуатации. Предназначен для студентов вузов железнодорожного транспорта и может быть полезным широкому кругу специалистов, связанных с разработкой и эксплуатацией устройств электрической тяги.

В книге рассмотрены основные методы измерений различных электрических и радиотехнических величин на постоянном и переменном токе, а также приведены характеристики, описания и блок-схемы соответствующих измерительных приборов. Во втором издании книги расширены разделы, посвященные применению отдельных приборов, вместо устаревших приборов описаны более современные, приведена техника измерений параметров новых полупроводниковых элементов, материал отдельных глав частично переработан и сокращен.

Учебное пособие. Основные разделы курса посвящены изучению физических процессов в современных полупроводниковых приборах, основной упор делаеться на изучение элементов силовой электроники, а также особеностям их работы а преобразователях средней и большой мощности. Большой объем материала посвяшен вопросам практического применения силовых полупроводниковых приборов в различных устройствах, входящих в состав современнных систем электромеханики.

Промышленная электроника
Забродин Ю.С.

В книге рассматриваются принцип действия полупроводниковых приборов, транзисторных усилителей и интегральных схем импульсной и цифровой техники; выпрямители, инвенторы, преобразователи частоты и т.д.
Предназначается для студентов энергетических и электромеханических специальностей.

Рассмотрены устройства, характеристики и параметры пассивных элементов в дискретном и интегральном исполнениях. Даны физические основы работы полупроводниковых приборов, устройство, принцип работы, параметры, характеристики и способы включения в электрическую цепь полупроводниковых диодов и транзисторов. Имеются сведения о работе усилителей переменного и постоянного сигналов, операционных усилителей, логических схем и построении на их основе триггеров, компараторов, аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Для студентов радиотехнических специальностей вузов, инженерно-технических работников.

В справочнике приведены основные сведения об усилительной и радиоприемной аппаратуре на полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах. Даны характеристики электро- и радиоматерналов, радиодеталей и намоточных узлов, полупроводниковых приборов и микросхем, громкоговорителей н телефонов, источников питания, а также принципы построения стерео- и квадрафонических систем звуковоспроизведения и практические схемы приемно-усилительных устройств.
Для широкого круга радиолюбителей, инженеров и техников, работающих в области приемно-усилительной техники

Приведены сведения по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам электронных приборов, а также современным методам активной защиты цепей радиоэлектронной аппаратуры от электрических перегрузок. Справочные сведения охватывают все классы специализированных ограничителей: полупроводниковых ограничителей, разрядников, дефензоров, варисторов, и приборов общего применения, таких как выпрямительные, импульсные, лавинные диоды, диоды Шотки, диоды СВЧ, стабилитроны и др. Применение специальных мер защиты с помощью описываемых приборов значительно повышает эксплуатационную надежность радиоэлектронной аппаратуры в экстремальных условиях. Достоинством справочника является то, что в нем не только приведены справочные данные, но и изложены методы оптимизации выбора ограничителей и схем защиты цепей радиоэлектронной аппаратуры.

Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство
Титце У., Шенк К.

В книге специалистов из ФРГ приведены параметры и описана структура современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с различной степенью интеграции. Изложены принципы построения и методы расчета основных схем автоматики, радиоэлектроники и вычислительной техники.
Для специалистов в области электронной и вычислительной техники, студентов соответствующих специальностей вузов и радиолюбителей.

Высокочастотные транзисторные преобразователи
Ромаш Э.М., Драбович Ю.И., Юрченко Н.Н., Шевченко П.Н.

Рассмотрены основы теории и проектирования высокочастотных транзисторных преобразователей, используемых в средствах вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Особое внимание уделено быстрым процессам коммутации полупроводниковых приборов, вопросам стабилизации выходных напряжений преобразователей и методам их расчета.
Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и эксплуатацией средств вторичного электропитания РЭА.